Мосфет: Разлика помеѓу преработките

'''Металоксиден полуспроводник транзистор со ефект на поле''' (MOSFET, MOS-FET или MOS FET) — тип на [[транзистор со ефект на поле]] (FET),најчесто произведен од контролирана оксидација на [[силициум]]. Има изолирана порта, чиј [[напон]] ја определува [[електроспроводливост|спроводливоста]] на уредот. Ваквата способност да се менува спроводливоста согласно големината на применетиот напон може да се користи за зголемување како и вклучување и исклучување електрични сигнали. Металоксидниот изолатор полуспроводнички транзистор со ефект на поле или MISFET е термин којшто безмалку е синоним со MOSFET. Друг синоним е IGFET што се користи за изолирана порта на транзистор со ефект на поле.

Основниот принцип на транзистор со ефект на поле бил патентиран за првпат од страна на [[Џулиус Едгар Лиленфелд]] во 1925 година.

Зборот „метал“ во називот на MOSFET всушност е погрешно употребен бидејќи материјалот што најчесто се користи за портата е слој од полисилициум (поликристален силициум). Зборот „оксиден“ е исто така погрешно употребен во името, затоа што се користат различни изолациски материјали со цел да се добие силен проток со мал применет напон. MOSFET е најчесто употребуваниот транзистор во дигиталните кола бидејќи стотици милиони MOSFET транзистори може да се вградат во мемориски чип или [[микропроцесор]]. Бидејќи MOFSET транзисторот може да биде или од p-тип или n-тип [[полуспроводник]], комплементарни парови на MOS транзистори може да се користат во кола за вклучување и исклучување со многу мала потрошувачка на електрична енергија, во форма на CMOS (комплементарни металоксидни полуспроводници).

Основниот принцип на овој тип на транзистор бил за првпат патентиран од страна на Џулиус Едгар Лиленфелд во 1925 година. Дваесет и пет години подоцна, кога луѓето од Лабораториите на Бел Телефон се обиделе да го патентираат [[биполарен транзистор|биполарниот транзистор]], откриле дека Лиленфелд имал патент за сè што во себе го содржи зборот транзистор. Лабораториите на Бел Телефон успеале да издејствуваат договор со Лиленфелд, кој во тоа време бил сѐ уште жив (не е познато дали му платиле или не му платиле пари за да го добијат договорот). Лабораториите на Бел Телефон во тоа време на транзисторот му го дале името биполарен транзистор, или едноставно поврзан транзистор, а дизајнот на Лиленфелд го добил името транзистор се ефект на поле.

Во 1959 година, Давон Канг и Мартин М. (Џон) Атала кои работеле во Лабораториите на Бел Телефон го пронашле металоксидниот полуспроводник транзистор со ефект на поле (MOSFET) како изданок на патентираниот дизајн на транзистор (FET). MOSFET, којшто оперативно и структурно бил поразличен од поларниот транзистор, бил направен со поставување на изолациски слој на полуспроводникот и потоа на него била додадена метална електрода како порта. Како полуспроводник се користи кристален силициум, а за изолација се користи силициум диоксид што оксидира на топлина. MOSFET-от од силициум не создава локални замки за [[електрон]]и на местото на интерфејсот помеѓу силициумот и неговиот природен оксидиран слој, па така тој по природа не ги заробува и расејува преносителите, што претставувало недостаток кај претходните транзистори со ефект на поле.

Вообичаено за полуспроводник се користи силициум, што се добива со користење на локални методи за оксидација (LOCOS). Од неодамна, некои производители на чипови, меѓу кои најпознати се IBM и Intel, започнаа со користење на хемиско соединение од силициум и германиум (SiGe) во каналите на MOSFET. За жал, многу полуспроводници со подобри електрични својства од силициумот, како на пр.: галиум арсенид, не формираат добри интерфејси помеѓу полуспроводникот до изолаторот, и како такви не се соодветни за изработка на MOSFET. Испитувањата за создавање на изолатори со прифатливи електрични карактеристики на други материјали за полуспроводници продолжуваат и понатаму.

За да се спречи зголемената потрошувачка на електрична енергија поради истекувањето на струјата кај портата, наместо силициум диоксид се користи [[диелектрик]] со висок К како изолатор за портата, додека пак полисилициумот се заменува со метални порти (видете во соопштенијата објавени од страна на Intel).

Портата е поделена од каналот со тенок слој на изолатор, вообичаено со [[силициум диоксид]], или од поново време со силициум оксинитрид. Некои компании за портата веќе користат комбинација од диелектрик со висок К и метал добиена со 45-нанометриска технологија.

каде комбинацијата ''V_ov = V_GS&nbsp;– V_th'' се нарекува прекумерен напон и каде ''V_DSsat = V_GS&nbsp;– V_th'' се зема за мал прекин во <math>I_D</math>што во спротивно би се појавил при преносот помеѓу областите на триода и заситување.

{{commons categoryрв|MOSFET}}