Полуспроводник: Разлика помеѓу преработките
[проверена преработка] | [проверена преработка] |
Избришана содржина Додадена содржина
с P.Nedelkovski ја премести страницата Полупроводник на Полуспроводник: Согласно ТРМЈ |
поправка на правопис |
||
Ред 1:
{{викифицирање}}
'''
Носители на електричеството низ
Има 2 вида
* Н-тип (негативен),
[[File:N_type_semiconductor.png|thumb|150px|
* П-тип(позитивен),
[[File:P_type_semiconductor.png|thumb|left|150px|
{{Нормативна контрола}}
[[Категорија:
[[Категорија:Полуспроводници| ]]
[[Категорија:Концепти во физиката]]
Ред 24 ⟶ 25:
=='''Вовед'''==
Бидејќи спроводливоста на полуспроводниците може да се менува со контролирано додавање на примеси или со дејствување на електрично поле или светлина, тие се многу корисни уреди за
За да се објаснат својствата на полуспроводниците се осврнуваме кон теоријата на [[квантна физика|квантната физика]] со помош на која се прикажува движењето на електроните низ кристалната решетка на атомот.
=='''Кристална структура на
Кога атомите ќе се приближат на блиско растојание
Елементите кои се основни
Најважни елементарни
Ако се гледаат елементите од IV група, заедничко им е што имаат 4 електрони во надворешната електронска лушпа (s + p)
Заради тенденцијата на атомите да ја пополнат надворешната електронска лушпа овие елементи кристализираат во т.н. дијамантска структура. Секој атом се поврзува со 4 соседни атоми делејќи ги со нив валентните електрони. Тридимензионално оваа структура изгледа како на слика1.
Друга важна група
=='''Општи особини на
Главна особина на
-промена на температурата,
-осветленост,
Ред 50:
-внесување примеси.
Во зависност од наведените фактори, бројот на носители во
При ниски температури, кои се приближни до апсолутна нула, не доаѓа до премин на електроните од пополнета во слободната зона, бидејќи енергијата на електронот од пополнетата зона не е доволна да ја совлада забранетата зона. Тогаш
При собна температура, енергијата на еден дел од електроните во пополнетата зона е доволна да ја совлада забранетата зона и електроните да преминат во слободната зона (валентната).
Со зголемување на температурата на
=='''Процеси и проведување во
Во отсуство на термичка екситација или надворешна стимулација валентната зона е пополнета, а
Поврзувањето помеѓу кристалното прикажување и зонското е тоа да минимумот енергија за да се раскине една ковалентна врска е токму Еg. Ковалентните врски можат да се раскинат на различни начини со додавање на надворешна енергија. Ослободениот електрон може да се движи низ материјалот под дејство на применетите полиња, се додека не наиде на друга раскината врска каде ќе биде зафатен за да ја комплетира, односно се рекомбинира и повеќе да не учествува во процесот на проведување. Така, со зголемување на температурата на
Кога
=='''Безпримесни
Безпримесни (чисти,
Пример за такви
Силициумот (Si) е четиривалентен атом кој образува ковалентни врски со соседните атоми на силициум и генерира регуларна структура која ја нарекуваме кристал. Валентните електрони се во надворешниот електронски слој и тие го одредуваат типот на хемиска врска која ќе се образува (
При температура од 0 К, сите електрони се наоѓаат во валентната врска и се дел од ковалентни врски, за разлика од
За разлика од изолаторите, кај
=='''Примесни
Примеси (допанти) се атоми од друг материјал кои во мал процент се додаваат во кристалната решетка на
Најважните примеси кои се додаваат во
Екстринсичен
Примесните
==='''
Ако на сопствениот
Овие примеси имаат
Ако туѓите атоми имаат поголем број валентни електрони отколку атомите домаќини (4 електрони кај Si
Допирањето со донори всушност во структурата на енергетските зони се одразува со појава на една дополнителна, многу тесна зона на дозволени енергии поставени на ниво наречено донорско ниво. Тоа ниво се наоѓа веднаш под
Основна разлика помеѓу овие механизми и механизмот кај сопствените
Бидејќи на собна температура секој примесен атом дава дополнителен носител, мали концентрации на примеси значајно ја зголемуваат концентрацијата на носители, а со тоа и
Спроводливоста на
Ако го промениме поларитетот на изворот, се менува и насоката на електричното поле. Сега слободните електрони ќе се движат во обратна насока на првиот случај. Јачината на струјата во обата случаи е иста. Од тоа произлегува дека во блокот на
==='''
И акцепторите се наоѓаат во супституциска положба во кристалот, но сега нив им недостасува еден електрон за да остварат валентни врски со своите соседни атоми од домаќините.
Празните енергетски нивоа предизвикани од туѓите атоми прават една многу тесна дозволена енергетска зона наречена акцепторско ниво поставено во непосредна близина над врвот на валентната зона на основниот материјал, на типично растојание од 0,01–0,1 еV. Со ова се објаснува преодот на електроните од валентната зона на енергетските нивоа на акцепторите и при мали енергетски побуди.
Спроводливоста на
=='''Енергетски влијанија врз својствата на
Врз својствата на
:#Влијание на деформацијата врз
:#Топлински својства на
:#Термоелектрични појави;
:#Влијание на електрични полиња врз
:#Влијание на светлината врз спроводливоста;
:#
:#Зависност на
:#Квантен прираст на внатрешен фотоефект
:#Релаксација на
:#Фотонапонски ефект
1.'''Влијание на деформацијата врз спроводливоста:'''
Ширината на забранетата зона при доближување на атомите може и да се намалува и да се зголемува. Кај разни
Промената на специфичната електрична
2.'''Топлински својства на
Кај
3.'''Влијание на светлината врз спроводливоста:'''
Светлинската енергија која ја апсорбира
4.'''Фотонапонски ефект:'''
Фотонапонски ефект е појава на електричен напон на краевите од
5.'''Влијание на електрични полиња врз
Јачината на електричното поле кое делува врз
=='''Полуспроводнички уреди'''==
==='''Диода'''===
Диодата е електронска компонента која дозволува проток на електрична струја во една насока без отпор,додека во спротивна насока претставува бесконечен отпор. Затоа кај диодите постои
Диодите воглавно се произведуваат од
===='''Полуспроводничка диода'''====
Уредите, кои се направени преку комбинација на два
====='''
====='''Слојна диода'''=====
Слојна диода претставува PN-спој и може да биде поларизирана во пропустлива и непропустлива насока. Ако позитивниот пол на изворот е сврзан за P-областа, а негативниот за N-областа од кристалот, диодата ќе биде поларизирана во пропустлива насока. Во тој случај, мал напон предизвикува протекување на многу јака струја. Отпорот на диодата во пропустливата насока е многу мал. Затоа во
===='''
Повеќето диоди емитираат зрачење, но тоа не го напушта
===='''
==='''Транзистори'''===
Според својата
По својата структура биполарниот транзистор претставува
==='''Соларна ќелија'''===
Соларната ќелија е
Ќелиите се користат за детекција на светлина или друг облик на електромагнетно зрачење близу видливиот спектар, на пример детектор на инфрацрвено зрачење или мерење на интензитетот на светлината.
Фотонапонските ќелии можат да се користат како самостојни извори на енергија или како додатни извори на енергија. Како самостојни извори на енергија се користат за: сателити, сообраќајни знаци, калкулатори и други објекти кои бараат долготраен извор на енергија.
Како додатен извор на енергија, фотонапонските ќелии можат да се приклучат на електрична мрежа, но засега тоа е неисплатливо. Соларните ќелии често се спојуваат и се затвораат во модули. Фотонапонските модули
'''Како работат соларните ќелии
1.Фотоните од сончевата светлина
2.Електроните се потиснуваат од атомот и стануваат слободни, т.е. можат слободно да протекуваат низ материјалот, со што се формира струја. Поради специфичната градба на соларните ќелии, електроните можат да се движат само во една насока.
3.Полето на соларни ќелии ја
Ред 182:
=='''Силициум(Si) и германиум(Ge)'''==
Иако развојот на
Силициум е најупотребуваниот
Силициумот секогаш содржи различни примеси кои, зависно дали нивните нивоа се поблиску до валентната зона или
Ако кристалниот силициум се помеша со примес од друг материјал,
Ако на силициумот се додаде мала количина на пример од материјал кој има
Si ги има следниве предности:
:*Si
:*Распространет е
:*Има 2 пати поголема топлинска
:*Максималната работна температура му е до
:*Si многу лесно оксидира и создава стабилен изолациски SiO2 слој што е важно во технологијата за изработка на интегрирани кола.
Силициумот се употребува во
:-Интегрираните кола
:-
:-Фотодетекторите
:-
:-Тиристорите
:-
Иако развојот на
=='''
Заради потребата од
Најважни
Употребата на GaAs е во голема експанзија за изработка на
Овој материјал има низа предности во однос на Si:
:*Има значително поголема електронска подвижност и средна брзина на поместување при заситување, што овозможува изработка на побрзи компјутери и работа на повисоки фреквенции.
:*GaAs – Подлога допирана со хром има полуизолациски особини, заради што можат да се намалат паразитните капацитивности и да се зголеми горната гранична фреквенција на интегрираните кола и микробрановите направи.
:*Максималната работна температура на GaAs p-n споеви достига 300
:*Редуцираната сопствена термичка генерација на парови овозможува работа на помали напони и помала дисипација
:*Големината и директниот тип на енергетскиот процеп кај GaAs овозможува негова примена за ласери за разлика од Si кој има
:*Секако покрај многуте предности постои еден недостаток, а тоа е високата цена.
=='''Органски полуспроводници'''==
Во последниве години внимание привлекуваат органските полуспроводници, особено
'''
Суперрешетките се структури со еднодимензионално периодичен потенцијал, со период од околу 10 nm. Овој потенцијал се создава со селективно допирање или со регуларно повторување на хетероспоеви на два материјала со различни дебелини и енергетски процепи.
Најчесто користени се суперрешетките кај кои енергетскиот процеп на еден материјал во енергетската скала се наоѓа во енергетскиот процеп на другиот материјал. Доколку слоевите во материјалот со потесен енергетски процеп се тесни во споредба со брановите должини на електроните и празнините, тогаш енергиите на електроните и празнините се квантизирани во правец на суперрешетката. Затоа валентната и
=='''Постапки за добивање на
-Голема хемиска чистота, без која ефектот на допирањето кое се остварува во многу мали концентрации не би можел да се манифестира.
-Потребна е голема перфекција во кристалната структура, односно отсуство на дефекти кои би довеле до појава на дополнителни енергетски нива. Ако на пример во еден p-n
'''Големата хемиска чистота се постига со методата на зонско топење:'''
При зонското топење, цилиндрично парче од
При придвижувањето, растопената зона ги повлекува нечистотиите
од материјалот, од каде се
Откако се постигне потребната хемиска чистота, потребно е да се обезбеди и потребната кристална совршеност, односно да се добие
'''Обично за ова се користи методата на Чохралски:'''
При оваа метода,
Отпрво се остава семето лесно површински да се растопи со цел да се натопи од сите страни со течниот
Со ротацијата се спречува постоење на температурни разлики кои би го нарушиле правилното формирање на кристалот. На ваков начин се растат шипки од монокристален
▲Со ротацијата се спречува постоење на температурни разлики кои би го нарушиле правилното формирање на кристалот. На ваков начин се растат шипки од монокристален полупроводник со дијаметар до 10 cm и со должина до 1 m. Потоа од монокристалот се сечат тенки плочки врз кои се градат полупроводните компоненти,
диоди, транзистори, интегрирани кола.
Ред 257 ⟶ 256:
=='''Заклучок:'''==
Ниту самите научници кои работеле на истражувањето на
Денес поголемиот дел од електронските компоненти и направи не можат да се замислат без
Сите уреди, кои ние ги применуваме во секојдневната употреба, всушност, се состојат од
За подобро да се разбере зошто
|