Мосфет: Разлика помеѓу преработките
| [непроверена преработка] | [непроверена преработка] |
Избришана содржина Додадена содржина
Создадена страница со: == Историја == Основниот принцип на овој тип на транзистор бил за првпат патентиран о... |
Нема опис на уредувањето |
||
Ред 1:
'''Металоксиден полуспроводник транзистор со ефект на поле (MOSFET, MOS-FET или MOS FET)'''е тип на транзистор со ефект на поле (FET),најчесто произведен од контролирана оксидација на силициум. Има изолирана порта, чиј напон ја определува спроводливоста на уредот. Ваквата способност да се менува спроводливоста согласно големената на применетиот напон може да се користи за зголемување како и вклучување и исклучување електрични сигнали. Металоксидниотизолатор полуспроводник транзистор со ефект на поле или MISFET е термин којшто без малку е синоним со MOSFET. Друг синоним е IGFET што се користи за изолирана порта на транзистор со ефект на поле.
Основниот принцип на транзистор со ефект на поле бил патентиран за првпат од страна на Џулиус Едгар Лиленфелд во 1925 година.
Најголемата предност на MOSFET е дека не бара никаква влезна струја за да ја контролира струјата на оптоварување, за разлика од биполарните транзистори. Напонот кој се применува на терминалот на портата на MOFSET-отво „режим на зголемување“ја зголемува спроводливоста на уредот. Напонот кој се применува на портата во „режим на трошење“ја намалува спроводливоста на уредот.
Зборот „метал“ во називот на MOSFET всушност е погрешно употребен бидејќи материјалот што најчесто се користи за портата е слој од полисилициум (поликристален силициум). Зборот „оксиден“ е исто така погрешно употребен во името, затоа што се користат различни изолациски материјали со цел да се добие силен проток со мал применет напон. MOSFET е најчесто употребуваниот транзистор во дигиталните кола бидејќи стотици милиони MOSFET транзистори може да се вградат во мемориски чип или микропроцесор. Бидејќи MOFSET транзисторот може да биде или од p-тип или n-тип полуспроводник, комплементарни парови на MOS транзистори може да се користат во кола за вклучување и исклучување со многу мала потрошувачка на електрична енергија, во форма на CMOS (комплементарни металоксидни полуспроводници).
== Историја ==
| |||