Полуспроводник: Разлика помеѓу преработките
| [проверена преработка] | [проверена преработка] |
Избришана содржина Додадена содржина
с →Вовед: Јазична исправка, replaced: конверзија → претворање |
с Јазична исправка, replaced: термичка → топлинска (4) |
||
Ред 40:
==Процеси и проведување во полуспроводниците==
Во отсуство на
Поврзувањето помеѓу кристалното прикажување и зонското е тоа да минимумот енергија за да се раскине една ковалентна врска е токму Еg. Ковалентните врски можат да се раскинат на различни начини со додавање на надворешна енергија. Ослободениот електрон може да се движи низ материјалот под дејство на применетите полиња, сè додека не наиде на друга раскината врска каде ќе биде зафатен за да ја комплетира, односно се рекомбинира и повеќе да не учествува во процесот на проведување. Така, со зголемување на температурата на полуспроводникот од 0 К нагоре, неговите особини се менуваат од изолатор до спроводник.
Кога една ковалентна врска се раскинува испуштајќи еден електрон се појавува вкупен позитивен полнеж поврзан со ковалентна врска, заради отсуството на електронот. Ова би била кристалографска манифестација на празнините, кои беа дискутирани претходно. Ако се примени електрично поле, постои можност еден од електроните од соседните ковалентни врски да се придвижи да ја пополни празнината. Овој процес се повторува така што движењето на електроните предизвикува движење на празнините во правец на електричното поле. Така, празнините се движат како фиктивни позитивни честички. Овој концепт на празнини е погоден заради тоа што е поедноставено да се третира движењето на позитивно наелектризирани честички отколку движењето на врзаните електрони кои се движат по празнините.
Ред 103:
4.'''Фотонапонски ефект:'''
Фотонапонски ефект е појава на [[електричен напон]] на краевите од полуспроводникот (p-n премин) заради апсорпција на светлоста во полуспроводникот. Електроните и празнините кои се создаваат заради апсорпција на светлината може да се разделат преку внатрешниот потенцијал кој постои во осиромашениот p-n премин. Во p-n преминот се смалува внатрешниот потенцијал и таа потенцијална разлика во однос на вредноста при
5.'''Влијание на електрични полиња врз спроводливоста:'''
Ред 187:
:*Има значително поголема електронска подвижност и средна брзина на поместување при заситување, што овозможува изработка на побрзи компјутери и работа на повисоки честоти.
:*GaAs – Подлога допирана со хром има полуизолациски особини, заради што можат да се намалат паразитните капацитивности и да се зголеми горната гранична честота на интегрираните кола и микробрановите направи.
:*Максималната работна температура на GaAs p-n споеви достига 300 C (додека кај Si е 200 С), поради значително поголемиот енергетски процеп, односно редуцираната сопствена
:*Редуцираната сопствена
:*Големината и директниот тип на енергетскиот процеп кај GaAs овозможува негова примена за ласери за разлика од Si кој има индиректен енергетски процеп.
:*Секако покрај многуте предности постои еден недостаток, а тоа е високата цена.
| |||