Полуспроводник: Разлика помеѓу преработките

Одземени 4 бајти ,  пред 1 година
с
→‎Постапки за добивање на полуспроводни материјали: Јазично подобрување, replaced: дијаметар → пречник
с (Јазично подобрување, replaced: донор → дарител (14))
с (→‎Постапки за добивање на полуспроводни материјали: Јазично подобрување, replaced: дијаметар → пречник)
 
При оваа метода, полуспроводникот се наоѓа во стопена состојба во сад при температура малку повисока од точката на топење. Мал монокристал наречен „семе“ од истиот полуспроводник каков се извлекува и ориентиран во саканиот правец, прицврстен е на крајот од едно вретено и ставен во контакт со површината на растопениот полуспроводник.
Отпрво се остава семето лесно површински да се растопи со цел да се натопи од сите страни со течниот полуспроводник. Притоа преку вретеното се одзема извесно количество топлина, така што ќе започне стврднување на слоевите околу семето во продолжение на кристалните оски, односно ќе почне кристалот да „расте“ или да се „извлекува“. Во ова фаза вретеното се става во многу спора ротација и уште поспоро дигање нагоре, така што секогаш се одржува меѓуспојот цврсто тело - течност во близината на површината.
Со ротацијата се спречува постоење на температурни разлики кои би го нарушиле правилното формирање на кристалот. На ваков начин се растат шипки од монокристален полуспроводник со дијаметарпречник до 10 cm и со должина до 1 m. Потоа од монокристалот се сечат тенки плочки врз кои се градат полуспроводните компоненти,
диоди, транзистори, интегрирани кола.