Полуспроводник: Разлика помеѓу преработките
| [проверена преработка] | [проверена преработка] |
Избришана содржина Додадена содржина
с →Постапки за добивање на полуспроводни материјали: Правописна исправка, replaced: перфекција → совршенство |
с Јазично подобрување, replaced: донор → дарител (14) |
||
Ред 60:
===Н–тип===
Ако на сопствениот полуспроводник му се додаде контролирано количество на примес од V група (P,As,Sb) материјалот се збогатува со спроводни електрони и тој се нарекува полуспроводник од Н–тип.
Овие примеси имаат петвалентни електрони. Петтиот (несврзан) електрон
Ако туѓите атоми имаат поголем број валентни електрони отколку атомите домаќини (4 електрони кај Si и Ge) се работи за екстринсичен полуспроводник од тип n, бидејќи сега мнозински носители на товар ќе бидат електроните.
Допирањето со
Основна разлика помеѓу овие механизми и механизмот кај сопствените полуспроводници е што јонизираните примеси остануваат како фиксни позитивни наелектризирани центри во кристалната решетка и не се создаваат празнини. Така Vтата група примеси даваат електрони и се викаат
Бидејќи на собна температура секој примесен атом дава дополнителен носител, мали концентрации на примеси значајно ја зголемуваат концентрацијата на носители, а со тоа и спроводливоста. Примесите со атоми на фосфор, арсен или антимон, кои имаат по петвалентни електрони се користат за донирање во полуспроводниците од Н-тип. Наброените елементи се викаат уште и
Спроводливоста на полуспроводникот од N – тип ќе ја објасниме преку пример, т.е. полуспроводникот го вклучуваме во струјното коло преку контактните плочки, така што под дејство на ЕМС на изворот, во него се создава електрично поле со јачина Е. Насоката на полето оди од позитивната кон негативната контактна плочка. Под дејство на силата на електричното поле, слободните електрони ќе се движат во насока спротивна на насоката на полето. Така, во колото ќе протече струја од негативниот кон позитивниот пол на изворот преку полуспроводникот. Спроводливоста на овој полуспроводник ќе зависи од бројот на слободните електрони, а тоа значи, од процентот на атомите на арсенот.
Ред 157:
Силициум е најупотребуваниот полуспроводнички материјал кој е основа во структурата на компјутерските чипови и останатиот хардвер. Ултрачистиот силициум може да биде смешан со други елементи за да се адаптира неговиот електричен одговор со контролирање на бројот и полнежот (позитивен и негативен) на постоечките серии. Таква контрола е потребна за транзисторите, сончевите ќелии, полуспроводничките детектори и други полуспроводнички направи кои се користат во електрониката и другите високотехнолошки апликации.
Силициумот секогаш содржи различни примеси кои, зависно дали нивните нивоа се поблиску до валентната зона или спроводната зона, можат да се однесуваат како акцептори или
Ако кристалниот силициум се помеша со примес од друг материјал, спроводливоста на силициумот може да се смени. Силициумот има 4 валентни електрони во највисокиот енергетски слој. Ако на силициумот се додаде мала количина на пример од материјал кој има петвалентни електрони (фосфор,арсен или друг елемент од 5 група), ќе се појават вишок слободни електрони кои ја зголемуваат спроводливоста на силициумот. Таквите примеси се викаат
Ако на силициумот се додаде мала количина на пример од материјал кој има тривалентни електрони (бор, индиум или други елементи од трета група), ќе се појават вишок на шуплини кои на тој начин ја зголемуваат спроводливоста на силициумот. Таквите примеси се викаат акцепторски примеси бидејќи привлекуваат (примаат) слободни електрони, а така добиениот силициум се нарекува П-тип на силициум, бидејќи има повеќе слободни носители на позитивен полнеж (шуплини) отколку електрони.
Ред 193:
==Органски полуспроводници==
Во последниве години внимание привлекуваат органските полуспроводници, особено спроводните полимери, со особина на контролирано допирање, така што својствата можат да им се менуваат во широки граници од диелектрични до спроводни филмови на полиацетилен (CH)n. Со напарување на
'''Полуспроводнички суперрешетки:'''
| |||