Полуспроводник: Разлика помеѓу преработките

Нема измена во големината ,  пред 2 години
с
Правописна исправка, replaced: се до → сè до , се додека → сè додека
[проверена преработка][проверена преработка]
с (→‎П-тип: Правописна исправка, replaced: кои што → коишто using AWB)
с (Правописна исправка, replaced: се до → сè до , се додека → сè додека)
==Процеси и проведување во полуспроводниците==
Во отсуство на термичка екситација или надворешна стимулација валентната зона е пополнета, а спроводната е празна, односно, ако кристалот е доволно ладен, заштитен од светлина и друго, валентните електрони се вклучени во ковалентните врски и нема слободни електрони во кристалот кој би можеле да се движат. За да се случи проведување мора валентните електрони да преминат во повисоки енергии, но на ниски температури нема расположливи празни енергетски нивоа во валентната зона, а енергетските нивоа во спроводната зона можат да се достигнат само ако електроните добијат енергија поголема од Еg. Јасно е дека ковалентните врски можат да бидат раскинати ако се доведе доволно енергија.
Поврзувањето помеѓу кристалното прикажување и зонското е тоа да минимумот енергија за да се раскине една ковалентна врска е токму Еg. Ковалентните врски можат да се раскинат на различни начини со додавање на надворешна енергија. Ослободениот електрон може да се движи низ материјалот под дејство на применетите полиња, сесè додека не наиде на друга раскината врска каде ќе биде зафатен за да ја комплетира, односно се рекомбинира и повеќе да не учествува во процесот на проведување. Така, со зголемување на температурата на полуспроводникот од 0 К нагоре, неговите особини се менуваат од изолатор до спроводник.
Кога една ковалентна врска се раскинува испуштајќи еден електрон се појавува вкупен позитивен полнеж поврзан со ковалентна врска, заради отсуството на електронот. Ова би била кристалографска манифестација на празнините, кои беа дискутирани претходно. Ако се примени електрично поле, постои можност еден од електроните од соседните ковалентни врски да се придвижи да ја пополни празнината. Овој процес се повторува така што движењето на електроните предизвикува движење на празнините во правец на електричното поле. Така, празнините се движат како фиктивни позитивни честички. Овој концепт на празнини е погоден заради тоа што е поедноставено да се третира движењето на позитивно наелектризирани честички отколку движењето на врзаните електрони кои се движат по празнините.
 
3.'''Влијание на светлината врз спроводливоста:'''
Светлинската енергија која ја апсорбира полуспроводникот може да предизвика во него зголемено количество на носители во однос на рамнотежното ниво кое е дефинирано од температурата. Ова доведува до зголемена електрична спроводливост и ова се користи кај фотоотпорниците.
Фотоспроводливост σ е зголемена електрична спроводливост на материјалите под дејство на електромагнетни зрачења. При фотоспроводливоста се манифестира квантната природа на светлината. Бидејќи ширината на забранетата енергетска зона е различна кај разни полуспроводници, фотоспроводливоста се јавува од инфрацрвеното па сесè до ултравиолетовото подрачје на спектарот.
 
4.'''Фотонапонски ефект:'''