Мосфет: Разлика помеѓу преработките

'''Металоксиден полуспроводник транзистор со ефект на поле''' (MOSFET, MOS-FET или MOS FET) — тип на [[транзистор со ефект на поле]] (FET),најчесто произведен од контролирана оксидација на [[силициум]]. Има изолирана порта, чиј [[напон]] ја определува [[електроспроводливост|спроводливоста]] на уредот. Ваквата способност да се менува спроводливоста согласно големината на применетиот напон може да се користи за зголемување како и вклучување и исклучување електрични сигнали. Металоксидниот изолатор полуспроводнички транзистор со ефект на поле или MISFET е термин којшто безмалку е синоним со MOSFET. Друг синоним е IGFET што се користи за изолирана порта на транзистор со ефект на поле.

 

 

Зборот „метал“ во називот на MOSFET всушност е погрешно употребен бидејќи материјалот што најчесто се користи за портата е слој од полисилициум (поликристален силициум). Зборот „оксиден“ е исто така погрешно употребен во името, затоа што се користат различни изолациски материјали со цел да се добие силен проток со мал применет напон. MOSFET е најчесто употребуваниот транзистор во дигиталните кола бидејќи стотици милиони MOSFET транзистори може да се вградат во мемориски чип или [[микропроцесор]]. Бидејќи MOFSET транзисторот може да биде или од p-тип или n-тип [[полуспроводник]], комплементарни парови на MOS транзистори може да се користат во кола за вклучување и исклучување со многу мала потрошувачка на електрична енергија, во форма на CMOS (комплементарни металоксидни полуспроводници).

 

== Историја ==

 

Кога на портата и терминалите на телото се применува напон, [[електрично поле|електричното поле]] што се создава го пробива оксидот и создава „слој на инверзија“ или „канал“ на интерфејсот помеѓу полуспроводникот и изолаторот. Слојот на инверзија овозможува проток преку кој електричната енергија може да помине помеѓу терминалите на изворот и излезот. Големината на напонот помеѓу портата и телото ја определува спроводливоста на овој слој и така се контролира протокот на електричната енергија помеѓу излезот и изворот. Ова е познато како „Режим на зголемување“.

 

== Режими на работа ==

 

каде <math>\mu_n</math> е ефективната мобилност на пренесувачот на полнежи, <math>W</math> е ширината на портата, <math>L</math> е должината на портата и <math>C_{ox}</math> е капацитетот на оксидот во единица површина. Преносот од експоненцијалната област со напон под прагот до областа на [[триода]]та не е така остар како што сугерира самата равенка.

 

== Заситување или активен режим ==