Транзистор: Разлика помеѓу преработките

[проверена преработка][проверена преработка]
Избришана содржина Додадена содржина
поврзници
с Јазична исправка, replaced: -та година → година using AWB
Ред 1:
'''Транзистор''' — [[полуспроводник|полуспроводнички]] уред кој најчесто се користи да засилува или да вклучува и исклучува сигнали. Транзисторот е основната единица од која се прават [[сметач]]ите и сите понови [[електронски уреди]]. Најчесто се спојуваат повеќе транзистори во едно [[интегрално коло]].
 
Електричниот сигнал може да се засили користејќи уред кој овозможува сигналот да го контролира протокот на многу поголема струја. Транзисторите се основните уреди кои овозможуваат ваква контрола. Современите транзистори главно спаѓаат во две категории: [[биполарни спојни транзистори]] (анг. BJT) и [[транзистори со ефект на поле]] (анг. FET). Со овозможување на проток на струја кај биполарните спојни транзистори и напон кај транзисторите со ефект на поле помеѓу влезната и заедничката електрода се зголемува проводливоста помеѓу заедничката и излезната електрода, со што се контролира протокот на струја меѓу овие електроди.
 
[[Податотека:KT819.JPG|200px|thumb]]
Ред 14:
!Транзистор со ефект на поле!![[Податотека:JFET P-Channel Labelled.svg|80px]] P-канал !! [[Податотека:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]] N-канал
|}
 
 
== Историја ==
Ред 20 ⟶ 19:
[[Податотека:Replica-of-first-transistor.jpg|thumb|200px|right|Слика од првиот транзистор]]
 
Првиот патент за транзистор со ефект на поле беше пријавен во [[Канада]] од Австро-Унгарскиот физичар Џулиус Едгар Лилиенфилд на 22-ри октомври 1925-та година. Подоцна и во 1934 бил поднесен патент за нов ваков транзистор но овие транзистори никогаш не ги направија.
 
Првиот реален транзистор е направен во 1947 година во Лабораториите Бел од Џон Барден, Волтер Британ, Вилијам Шокли и Пирсон и од тогаш започнува ерата на транзисторите.
Ред 41 ⟶ 40:
* Отпорност на механички удари и тресења
* Поголема чуствителност
 
 
'''Недостатоци'''
Ред 67 ⟶ 65:
Овие транзистори први започнале со масовно производство. Нивното име доаѓа поради тоа што спроведуваат користејќи ги и миноритетните и мајоритетните носители. Трите електроди кои го сочинуваат овој транзистор се нарекуваат емитер, база и колектор. Кај овие транзистори има 2 споеви и тоа: база-емитер и база-колектор. Овие транзистори се посебно корисни кај засилувачите бидејќи струите кај емитерот и колекторот се контролираат од сосема мала струја во базата.
 
За разлика од [[транзисторот со ефект на поле]] овие транзистори работаат со ниски влезни величини. Па според тоа влезната струја се зголемува експоненцијално според моделот на [[Шоклиев модел]] и [[Еберс-Молов модел]].
 
Овие транзистори се употребуваат и како фототранзистори со тоа што базата апсорбира [[фотони]] кои создаваат струја, која потоа се засилува. Ваквите транзистори имаат посебен физички изглед и градба.
Ред 95 ⟶ 93:
== Материјал за изработка на транзистори ==
 
Првите биполарни транзистори се направен од [[германиум]] (Ge) кој се употребува и денеска при изградбата на некои транзистори. Денес најчесто се користи [[силициум]] (Si) за изградба на транзистори иако се застапени транзистори кои се прават од смесата [[галиум арсенид]] (GaAs) како и мешавината [[силициум германиум]] (SiGe).
 
Во табелата е дадена споредба на поважните својства на главните материјали од кои се прават транзисторите:
 
 
{| class="wikitable" style="margin: 1em auto 1em auto"
Ред 120 ⟶ 117:
| 0.3 || — || — || 150 до 200
|}
 
 
Заедничкиот спој е спојот помеѓу базата и емитерот и служи за овозможување на базата да спроведи проток на струја. Струјата која се спроведува се зголемува експоненцијално со зголемување на напонот на заедничкиот спој. Вредностите дадени во табелата се типични за струја од 1mA. Колку помал напон на заедничкиот спој толку подобро, бидејќи е потребно помалку моќност за работа на транзисторот. Зголемувањето и намалувањето на овој напон е во зависност од температурата. А секако имаат ограничени температури при кои транзисторите може да работаат.
Ред 136 ⟶ 132:
 
{{Нормативна контрола}}
 
[[Категорија:Електроника]]
[[Категорија:Полуспроводнички компоненти]]