Транзистор: Разлика помеѓу преработките

[проверена преработка][проверена преработка]
Избришана содржина Додадена содржина
поврзници
Ред 53:
Транзисторите може да се категоризираат според повеќе критериуми и тоа според:
 
* '''Материјалот:''' [[германиум]], [[силициум]], [[галиум арсенид]], итн.
* '''Структура:''' [[Биполарен споен транзистор]], [[транзистор со ефект на поле]], транзистор со изолирана порта и др.
* '''Поларност:''' NPN транзистор, PNP транзистор и др.
* '''Фреквенцијата на работа''': ниско, средно, високо фреквентни, радиобранови, микробранови
* '''Употребата:''' прекинувачи, засилувачи, општа употреба, аудио, високо напонскивисоконапонски и др.
* '''Физичкиот изглед:''' метални, пластични и сл.
* '''Засилувачкиот фактор'''
Ред 69:
За разлика од [[транзисторот со ефект на поле]] овие транзистори работаат со ниски влезни величини. Па според тоа влезната струја се зголемува експоненцијално според моделот на [[Шоклиев модел]] и [[Еберс-Молов модел]].
 
Овие транзистори се употребуваат и како фото-транзисторифототранзистори со тоа што базата апсорбира [[фотони]] кои создаваат струја, која потоа се засилува. Ваквите транзистори имаат посебен физички изглед и градба.
 
=== Транзистор со ефект на поле (FET) ===
Ред 95:
== Материјал за изработка на транзистори ==
 
Првите биполарни транзистори се направен од [[Германиумгерманиум]] (Ge) кој се употребува и денеска при изградбата на некои транзистори. Денес најчесто се користи [[Силициумсилициум]] (Si) за изградба на транзистори иако се застапени транзистори кои се прават од смесата [[Галиумгалиум Арсенидарсенид]] (GaAs) како и мешавината [[Силициумсилициум Германиумгерманиум]] (SiGe).
 
Во табелата е дадена споредба на поважните својства на главните материјали од кои се прават транзисторите:
Ред 124:
Заедничкиот спој е спојот помеѓу базата и емитерот и служи за овозможување на базата да спроведи проток на струја. Струјата која се спроведува се зголемува експоненцијално со зголемување на напонот на заедничкиот спој. Вредностите дадени во табелата се типични за струја од 1mA. Колку помал напон на заедничкиот спој толку подобро, бидејќи е потребно помалку моќност за работа на транзисторот. Зголемувањето и намалувањето на овој напон е во зависност од температурата. А секако имаат ограничени температури при кои транзисторите може да работаат.
 
Брзината на електроните и на празнините претставува брзина на електроните и празнините со која тие се одбиваат во [[електрично поле]] од 1 волт на метар напречен пресек. Обично колку поголема е оваа брзина толку е побрз и транзисторот. На ова поле се гледа дека Германиумотгерманиумот е подобар од Силициумотсилициумот. Меѓутоа тој има 4 главни недостатоци во однос на Силициумот:
 
* има ограничена максимална температура на работа
Ред 131:
* помалку е практичен за вклопување во [[интегрални кола]].
 
Максималната температура на работа кај транзисторите е многу важна бидејќи со преминување на оваа температура доаѓа до оштетување на транзисторот.
 
{{рв|Transistors}}